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1摻鐿光纖激光器發(fā)展歷史
在激光器發(fā)明不久后，在 1961 年美國的 Snitzer 報道了世界上個稀土離子在玻璃中產(chǎn)生激光現(xiàn)象，并提出了光纖激光器方面的設(shè)想。他采用氙燈泵浦釹鋇冕玻璃介質(zhì)，實現(xiàn)了波長為 1.06μm 的激光輸出。
1962 年，H. W. Etzel 等人就實現(xiàn)了在摻 Yb玻璃中的激光產(chǎn)生。在激光發(fā)展的初期，Yb 離子并沒有得到應(yīng)用，而摻釹離子（Nd）激光介質(zhì)得到了迅速的發(fā)展。后來 Yb 離子只是作為一種激光的激活離子，與其他稀土離子共摻，以此來提高其他離子的吸收效率。
1989 年，英國Sounthampton 大學(xué)的Hanna 研究小組報道了摻鐿單模光纖激光器獲得連續(xù)激光輸出。Hanna 采用 840nm 的染料激光器作為泵浦源，實現(xiàn)了4mW 的激光輸出，相對應(yīng)的其斜率效率為 15% 。同時實現(xiàn)了輸出激光在1015-1140nm 范圍內(nèi)可調(diào)諧。盡管當(dāng)時實驗中光纖的吸收效率較低，但 Hanna 這一工作使人們認識到鐿離子的*優(yōu)勢。
1989 年，英國電信實驗室的 J. R. Armitage 等人使用 8.6cm 的摻 Yb3+光纖作為增益介質(zhì)，泵浦源采用 890nm 的 AlGaAs 半導(dǎo)體激光器，實現(xiàn)了鐿離子三能級激光躍遷輸出激光，斜率效率接近40%。
隨著人們對鐿離子的關(guān)注，科學(xué)家們開始對 Yb特性進行深入研究，Yb的能級結(jié)構(gòu)，基態(tài)2F7/2 和激發(fā)態(tài)2F5/2 這兩個能級族是鐿離子中參與激光產(chǎn)生的主要能級。在室溫（25℃）下，由于強烈的均勻和非均 勻展寬，Yb離子在基態(tài)斯托克能級中有三個支能級，其中有兩個支能級能被分開，分別為 a、b 能級；激發(fā)態(tài)有兩個斯托克能級，其中只有一個 e 能級被分開，因此鐿離子具有連續(xù)的吸收光譜和輻射光譜。
英國南安普頓大學(xué)的 Hanna 等人利用摻 Yb石英光纖的光譜特性，采用多種泵浦方案實現(xiàn)了激光器的運轉(zhuǎn)。Hanna 使用 FP 腔結(jié)構(gòu)，將光纖的一端緊貼高反射率鏡，另一端利用光纖端面自身的 4%反射率構(gòu)成諧振腔，使用波長900nm泵浦源，光纖長度為0.5m。大輸出功率為15.7mW，輸出波長為 1036nm，斜率效率為 77%。 隨后，Hanna 等人使用摻Y(jié)b3+光纖還實現(xiàn)了在1083nm 的激光功率放大。
該小組還發(fā)現(xiàn)了不同成分摻鐿石英光纖鐿離子（介于 1%和 90%比例之間）的一小部分激發(fā)態(tài)的壽命具有很小的值。這意外的行為可能是一個尚不明確的雜質(zhì)或結(jié)構(gòu)上的缺陷（色心）引起。它可以嚴重降低了摻鐿激光器和放大器的性能（包括 ER/Yb共摻光纖作為通信放大器），特別是如果泵或信號波長 976 納米左右。Hanna 小組測試 Yb 離子在激發(fā)態(tài)的壽命約為 0.76ms。
此外，法國的科學(xué)家也開展了很多工作。例如：1993 年，Bayon 在實現(xiàn)了在摻鐿光纖中刻寫光纖光柵，并以光纖光柵做腔鏡，實現(xiàn)了激光波長在 1020nm 的高功率（> 0.2 瓦）和高量子效率（> 80%）石英光纖激光器，泵浦波長范圍為 850nm。2002 年，S. Magne 對摻鐿光纖的發(fā)射和吸收截面進行研究，得出實驗數(shù)據(jù)，并得出激發(fā)態(tài)壽命和自發(fā)輻射壽命。通過這些數(shù)據(jù)，建立光纖激光器的增益模型，并且優(yōu)化了泵浦光為 976nm 的三能級光纖激光器的光纖長度。
2摻Y(jié)b雙包層光纖激光器
隨著大功率半導(dǎo)體激光器以及摻雜稀土離子的雙包層光纖制作工藝的日漸成熟,光纖激光器得到了迅速的發(fā)展。脈沖激光輸出的光纖激光器由于具有接近衍射極限的良好的光束質(zhì)量、較高的單脈沖能量、體積小等優(yōu)點,在激光加工、光纖通信、醫(yī)療以及非線性光學(xué)等領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用。摻Y(jié)b雙包層光纖是在1um波段獲得高功率激光輸出的重要的產(chǎn)品之一。
雙包層光纖的基本結(jié)構(gòu)
1985年,南安普頓大學(xué)的Poole等用化學(xué)氣相沉積法（MCVD）制成了低損耗的摻鉺光纖,并用這種單模光纖研制了光纖激光器,使得光纖激光器得到了迅速地發(fā)展。
早期的光纖激光器采用單模光纖作為增益介質(zhì),光纖由摻雜稀土元素的纖芯、包層和涂覆層組成。纖芯的折射率比包層的折射率大,滿足一定條件時,光被限制在纖芯中傳播,泵浦光和信號光在纖芯中長距離范圍內(nèi)相互作用,使得光纖的增益系數(shù)很大,理論上可以得到高功率的激光輸出。然而,利用單模光纖制作光纖激光器,要求系浦光必須被精合到纖芯中才能被摻雜離子吸收,從而轉(zhuǎn)換為信號光輸出,這就要求果浦半導(dǎo)體激光器必須是單模輸出。但是這種單模輸出的半導(dǎo)體激光器價格昂貴,且難以實現(xiàn)高功率的激光輸出。這就使光纖激光器的輸出功率受到很大限制。
80年代末期,美國麻省Polaroid Corporation和南安普頓大學(xué)的研究人員發(fā)展了包層系浦光纖激光器,不再將系浦光直接耦合到纖芯中,而是禍合到尺寸較大的內(nèi)包層里面,改變光在內(nèi)包層中的傳輸特性,使光透過纖芯時能夠被摻雜離子吸收。包層泵浦技術(shù)的使用使得光纖激光器的功率和效率大大改善,為光纖激光器的進一步發(fā)展奠定了基礎(chǔ)。光纖激光器的包層泵浦技術(shù)采用雙包層稀土摻雜的光纖作為增益介質(zhì)。雙包層光纖由纖芯、內(nèi)包層、外包層和涂覆層四部分組成,其纖芯的折射率高,可保證激光在纖芯中振蕩,輸出的激光模式由纖芯決定。內(nèi)包層的折射率高于外包層的折射率,使泵浦光在內(nèi)包層中傳播。光纖的涂覆層構(gòu)成光纖的保護層。雙包層光纖激光器工作時,系浦光被直接耦合到內(nèi)包層中,因而泵浦效率較高。泵浦光在內(nèi)包層以多模形式傳播,多次透過纖芯,從而被摻雜離子吸收,實現(xiàn)雙包層光纖的全長度系浦。這里,內(nèi)包層主要起到兩個作用:（1）將激光限制在纖芯中;（2）傳導(dǎo)多模泵浦光,使其被纖芯吸收并轉(zhuǎn)換為激光輸出。內(nèi)包層具有較大的橫向尺寸和數(shù)值孔徑（NA）時,降低了泵浦光稱合難度,可把更大功率的系浦光導(dǎo)入光纖,與傳統(tǒng)的單包層光纖激光器相比,大大提高了禍合效率和入纖系浦功率,從而獲得高功率的激光輸出。通過改變內(nèi)包層和外包層的折射率可以獲得較大的內(nèi)包層的NA值,通常情況下,使用較低折射率的材料作外包層來提高內(nèi)包層的NA值。
摻雜離子吸收的泵浦光越多,激光器輸出的激光功率就會越大。初設(shè)計的雙包層光纖采用圓形的內(nèi)包層,具有制作工藝簡單,容易B接等優(yōu)點。但是由于內(nèi)包層的圓對稱性,泵浦激光在光纖中傳輸時,大部分光為弧矢光,不會透過纖芯,只有很少一部分12光會透過纖芯,導(dǎo)致?lián)诫s離子對泵光吸收很小,輸出的激光功率不大。這就需要改進雙包層光纖的結(jié)構(gòu)和材料,使更多的泵浦光能夠通過纖芯。
為了解決這一問題人們主要采用了兩種方案。一是采用偏心法,將纖芯放置在偏離圓心的位置,使大量的弧矢光線的系浦光可以通過纖芯;二是改變內(nèi)包層的幾何形狀,打破了內(nèi)包層的圓對稱結(jié)構(gòu),有效地提高了雙包層光纖對系浦光的吸收效率。
3光纖激光器的果浦技術(shù)
雙包層光纖激光器的主要系浦源是大功率的多模半導(dǎo)體激光器。一種為Oclaro公司的帶尾纖輸出的多模帶保護半導(dǎo)體激光器,輸出波長為975nm,輸出大功率為25W,實驗中是作為種子源的系浦源。另外一種是JDSU的帶尾纖輸出的單管多模半導(dǎo)體激光器,中心波長為915nm,高輸出功率為10W,實驗中是做為放大器的泵浦源。這兩種半導(dǎo)體激光器的輸出光纖尺寸均為105/125^im,NA為0.22,輸出光纖為裸纖,容易與標準光纖器件進行輝接,并且在1.06|am附近均鍍了保護膜,可以防止光纖中產(chǎn)生的激光返回到泵浦源中損壞半導(dǎo)體激光器。
經(jīng)過幾十年的發(fā)展,光纖激光器的包層泵浦方式主要采用端面泵浦技術(shù)、V型槽側(cè)面系浦技術(shù)、角度側(cè)面系浦精合、嵌入反射鏡式泵浦禍合、多模光纖融錐側(cè)面系浦技術(shù)以及GT--Wave光纖式泵浦技術(shù)等。其中,端面泵浦技術(shù)為簡單,系浦光經(jīng)過一個聚焦透鏡后賴合到雙包層光纖的內(nèi)包層中,選擇合適的聚焦透鏡可以提高禍合效率。這種泵浦方式比較適合于實驗室使用,可以選擇正向果浦、反向錄浦或者是雙向泵浦三種方式。但是利用這種泵浦方式的光纖激光器與其他光纖器件無法直接融合,需要通過空間耦合,因此對環(huán)境要求比較高,穩(wěn)定性較差。而使用尾纖輸出的光纖器件可以有效地解決這一問題,帶有尾纖輸出的系浦半導(dǎo)體激光器可以直接熔接,便于實現(xiàn)光纖激光器的全光纖化,且容易與其他的光纖器件相匹配。
4Yb離子在石英坡璃中的基本特性
1985年,南安普頓大學(xué)S.B.Poole等人成功制成了低損耗摻雜稀土離子的光纖，隨后該小組又利用摻Er光纖研制了摻鉺光纖放大器（EDFA）,使光纖通信真正發(fā)展起來。在研究EDFA的同時,人們發(fā)現(xiàn)有很多其他的稀土摻雜離子能夠產(chǎn)生激光,例如Er、Nd、Yb、Tm等摻雜離子,因此將目光轉(zhuǎn)向摻雜這些稀土離子的光纖放大器的研究,期望得到相應(yīng)波長的高功率激光輸出。在后來的研究中,人們發(fā)現(xiàn)摻Y(jié)b光纖具有很多優(yōu)勢,利用摻Y(jié)b光纖研制的光纖激光器具有較高的斜率效率和光光轉(zhuǎn)換效率,可以在1um波段得到高功率的激光輸出,從而使摻Y(jié)b的光纖激光器迅速發(fā)展起來。本論文主要研究的是利用摻Y(jié)b光纖實現(xiàn)高功率的脈沖激光輸出。
與其他摻雜離子相比,摻Y(jié)b光纖具有諸多優(yōu)點,首先其能級結(jié)構(gòu)簡單,只有兩個多重態(tài)展開的能級:基能級2F7/2和上能級2F5/2。與氟化物材料相比,石英坡璃是Yb離子的基底材料,摻雜在石英坡璃中,由于石英坡璃中電場分布不均勻,Yb離子的能級會發(fā)生明顯的Stark分裂,使基級變成四個分裂能級,上能級變成三個分裂能級。兩個能級間隔較遠,約在1000cm左右,難以發(fā)生交叉地豫現(xiàn)象,可以有效抑制濃度淬滅效應(yīng),由于沒有更高的能級結(jié)構(gòu)而沒有激發(fā)態(tài)吸收（ESA）。
與其能級結(jié)構(gòu)想對應(yīng)的石英光纖中的Yb離子的吸收和發(fā)射截面,Yb離子具有很寬的吸收譜線,在915nm和975nm附近有兩個吸收峰,在975nrn和1040nm附近有兩個發(fā)射峰。Yb離子在975nm處的吸收截面很高,比在915nm處約大三倍,選用975nm的半導(dǎo)體激光器作為泵浦源有利于縮短腔長,但是其吸收譜很窄,受泵浦激光波長變化影響很大,因此需要進行嚴格的溫度控制。相比之下,采用915nm輸出的半導(dǎo)體激光器作為泵浦源時,泵浦波長漂移幾個納米對Yb離子的吸收影響不大,因此不需要溫度控制。
5摻鐿增益介質(zhì)
Yb 離子的能級結(jié)構(gòu)很簡單，只有兩個多重態(tài)展開的能級2F7/2和2F5/2，由于 Stark 效應(yīng)，2F7/2展寬成四個子能級，2F5/2則展寬成三個子能級，由于 Yb 離子的能級結(jié)構(gòu)中沒有其它的上能級存在，因此在泵浦波長和激光波長處不存在激發(fā)態(tài)吸收。正因為它的粒子損耗很小，使得激光器在高功率運轉(zhuǎn)情況下有較高的轉(zhuǎn)換效率和較低的熱效應(yīng)；而且 Stark 能級的展寬使得激光器的增益帶寬很大（975nm~1200nm）；Yb離子的上能級壽命比較長（通常在1毫秒左右），上述因素都有利于調(diào) Q 技術(shù)。然而這種很小的粒子損耗同樣有它的弊端——在短波長有顯著的三能級行為。激發(fā)態(tài)2F5/2的 Stark 子能級 e 和 f 分別對應(yīng)于 975nm 和 915nm 的吸收峰，而波長 915nm 的泵浦到能級 f上的粒子會快速地*躍遷弛豫到能級 e 上。從能級 e 到基態(tài)2F7/2可發(fā)生兩種不同類型的激光躍遷：
（1）三能級躍遷：激光波長為 975nm（從 Stark 能級 e 躍遷到 Stark 能級 a）；
（2）四能級躍遷：激光波長從1010nm 到 1200nm（從Stark 能級 e躍遷到 Stark能級 b、c、d）。
一般地，激光器工作在三能級系統(tǒng)還是四能級系統(tǒng)與激光波長、抽運波長及光纖長度有關(guān)。大致可以認為工作波長在 1μm 以下時，激光系統(tǒng)以三能級工作，工作波長在 1μm 以上時，激光系統(tǒng)以四能級工作。本文主要涉及光纖激光器的工作波長在 1μm 以上，因此以四能級系統(tǒng)為模型。
在室溫下，Yb 離子的吸收截面和發(fā)射截面，吸收峰主要對應(yīng)于波長 915nm（譜寬大約為 50nm）和波長 976nm（譜寬大約為10nm），發(fā)射峰對應(yīng)于三能級的 975nm（譜寬大約為 10nm）和四能級的 1036nm（譜寬大約為 50nm）。由于它的吸收譜帶較寬，使得泵浦光源的選擇具有更多的靈活性，而寬的發(fā)射譜帶利于實現(xiàn)很寬的波長調(diào)諧范圍和超短光脈沖的激光輸出。還可以看出，在 975nm 處的吸收峰和發(fā)射峰重合，因此，當(dāng)用 915nm 的半導(dǎo)體激光器泵浦時，在 976nm 處會出現(xiàn)很強的放大自發(fā)輻射（ASE）效應(yīng)；而用 980nm的半導(dǎo)體激光器泵浦時，雖然泵浦的效率會降低，但能有效地抑制 975nm 處很強的放大自發(fā)輻射（ASE）效應(yīng)；正因為 980nm 泵浦波段靠近吸收峰和發(fā)射峰，使得它的泵浦效率隨波長變化明顯。
參考資料
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